แหวนขอบ sic

Semicorex CVD SIC Edge Ring เป็นส่วนประกอบที่หันหน้าเข้าหาพลาสมาประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาเพื่อเพิ่มความสม่ำเสมอของการแกะสลักและป้องกันขอบเวเฟอร์ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เลือก Semicorex สำหรับความบริสุทธิ์ของวัสดุที่ไม่มีใครเทียบวิศวกรรมความแม่นยำและความน่าเชื่อถือที่พิสูจน์แล้วในสภาพแวดล้อมกระบวนการพลาสมาขั้นสูง*

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

แหวน Semicorex Sic Edge ผลิตผ่านการสะสมไอสารเคมี (CVD) ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) แสดงให้เห็นถึงสิ่งสำคัญของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะมีบทบาทสำคัญในกระบวนการผลิตในห้องแกะสลักพลาสมา วงแหวนขอบตั้งอยู่รอบ ๆ ขอบด้านนอกของชัคไฟฟ้าสถิต (ESC) ในระหว่างกระบวนการแกะสลักพลาสมาและมีทั้งความสัมพันธ์ด้านสุนทรียภาพและการใช้งานกับเวเฟอร์ในกระบวนการ

ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์วงจร (IC) การกระจายตัวของพลาสมาอย่างสม่ำเสมอนั้นมีความสำคัญ แต่ข้อบกพร่องของขอบเวเฟอร์มีความสำคัญต่อการรักษาผลผลิตสูงในระหว่างการผลิตวิธี IB และ IBF นอกเหนือจากประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่เชื่อถือได้ของ ICS อื่น ๆ วงแหวน SIC Edge มีความสำคัญในการจัดการทั้งความน่าเชื่อถือของพลาสมาที่ขอบเวเฟอร์

ในขณะที่กระบวนการแกะสลักพลาสมานี้ดำเนินการกับเวเฟอร์เวเฟอร์จะได้รับการทิ้งระเบิดจากไอออนพลังงานสูงโดยมีก๊าซปฏิกิริยาที่มีส่วนทำให้เกิดรูปแบบการถ่ายโอนอย่างมีวิชาเลือก เงื่อนไขนี้สร้างกระบวนการความหนาแน่นพลังงานสูงซึ่งอาจส่งผลเสียต่อความสม่ำเสมอและคุณภาพของเวเฟอร์ขอบหากไม่ได้รับการจัดการอย่างถูกต้อง วงแหวนขอบสามารถสัมผัสกับบริบทของการประมวลผลเวเฟอร์และในฐานะเครื่องกำเนิดไฟฟ้าของพลาสม่าไฟฟ้าเริ่มเปิดเผยเวเฟอร์แหวนขอบจะดูดซับและแจกจ่ายพลังงานที่ขอบห้องและขยายประสิทธิภาพที่มีประสิทธิภาพของสนามไฟฟ้าจากเครื่องกำเนิดไฟฟ้าไปยังขอบของ ESC วิธีการที่มีเสถียรภาพนี้ใช้ในรูปแบบต่าง ๆ รวมถึงการลดปริมาณการรั่วไหลของพลาสมาและการบิดเบือนใกล้กับขอบของขอบเขตเวเฟอร์ซึ่งอาจนำไปสู่ความเหนื่อยหน่ายของขอบ

ด้วยการส่งเสริมสภาพแวดล้อมในพลาสมาที่สมดุลแหวน SIC Edge ช่วยลดเอฟเฟกต์การโหลดไมโครป้องกันการดึงออกมากเกินไปที่ส่วนรอบเวเฟอร์และยืดอายุการใช้งานของทั้งส่วนประกอบเวเฟอร์และห้อง สิ่งนี้ช่วยให้การทำซ้ำกระบวนการที่สูงขึ้นลดความบกพร่องและความสม่ำเสมอที่ดีขึ้นในการวัดความสม่ำเสมอ-ตัวชี้วัดที่สำคัญในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ปริมาณสูง

ความไม่ต่อเนื่องจะถูกรวมเข้าด้วยกันทำให้การเพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการที่ขอบของเวเฟอร์ที่ท้าทายยิ่งขึ้น ตัวอย่างเช่นความไม่ต่อเนื่องทางไฟฟ้าอาจทำให้เกิดการบิดเบือนของสัณฐานวิทยาของฝักทำให้มุมของไอออนของเหตุการณ์เปลี่ยนไปซึ่งส่งผลต่อความสม่ำเสมอของการแกะสลัก; สนามอุณหภูมิที่ไม่สม่ำเสมออาจส่งผลกระทบต่ออัตราการเกิดปฏิกิริยาเคมีทำให้อัตราการแกะสลักขอบเบี่ยงเบนจากพื้นที่ส่วนกลาง ในการตอบสนองต่อความท้าทายข้างต้นการปรับปรุงมักจะทำจากสองด้าน: การเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์และการปรับพารามิเตอร์กระบวนการ

วงแหวนโฟกัสเป็นองค์ประกอบสำคัญในการปรับปรุงความสม่ำเสมอของการแกะสลักขอบเวเฟอร์ มันถูกติดตั้งรอบขอบของเวเฟอร์เพื่อขยายพื้นที่การกระจายพลาสมาและเพิ่มประสิทธิภาพสัณฐานวิทยาของฝัก ในกรณีที่ไม่มีวงแหวนโฟกัสความแตกต่างของความสูงระหว่างขอบเวเฟอร์และอิเล็กโทรดทำให้ปลอกงอทำให้ไอออนเข้าสู่พื้นที่การแกะสลักที่มุมที่ไม่สม่ำเสมอ

ฟังก์ชั่นของแหวนโฟกัสรวมถึง:

•เติมความแตกต่างของความสูงระหว่างขอบเวเฟอร์และอิเล็กโทรดทำให้ปลอกประจบประแจงทำให้มั่นใจได้ว่าไอออนจะทิ้งระเบิดพื้นผิวเวเฟอร์ในแนวตั้งและหลีกเลี่ยงการบิดเบือนการกัดกร่อน

•ปรับปรุงความสม่ำเสมอของการแกะสลักและลดปัญหาเช่นการแกะสลักขอบมากเกินไปหรือการกัดแบบเอียง

ข้อดีของวัสดุ

การใช้ CVD SIC เป็นวัสดุพื้นฐานมีข้อได้เปรียบหลายประการมากกว่าวัสดุเซรามิกหรือเคลือบแบบดั้งเดิม CVD sic เป็นสารเคมีเฉื่อยเสถียรทางความร้อนและทนต่อการพังทลายของพลาสมาสูงแม้ในเคมีฟลูออรีนและคลอรีนที่ก้าวร้าว ความแข็งแรงเชิงกลที่ยอดเยี่ยมและความเสถียรของมิติช่วยให้อายุการใช้งานยาวนานและการสร้างอนุภาคต่ำภายใต้สภาวะการขี่จักรยานอุณหภูมิสูง

ยิ่งไปกว่านั้นโครงสร้างจุลภาคที่มีความหนาแน่นและหนาแน่นของ CVD SIC ช่วยลดความเสี่ยงของการปนเปื้อนทำให้เหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมการประมวลผลที่สะอาดเป็นพิเศษซึ่งแม้กระทั่งการติดตามสิ่งสกปรกอาจส่งผลกระทบต่อผลผลิต ความเข้ากันได้ของมันกับแพลตฟอร์ม ESC ที่มีอยู่และรูปทรงหอการค้าที่กำหนดเองช่วยให้สามารถรวมเข้าด้วยกันได้อย่างราบรื่นด้วยเครื่องมือแกะสลักขั้นสูง 200 มม. และ 300 มม.

แท็กยอดนิยม: แหวน sic edge, จีน, ผู้ผลิต, ซัพพลายเออร์, โรงงาน, ปรับแต่ง, เป็นกลุ่ม, ขั้นสูง, ทนทาน

แท็กสินค้า

หมวดหมู่ที่เกี่ยวข้อง