ฐาน SiC

ในยุคของเคมีการไหลและการทำให้กระบวนการเข้มข้นขึ้น ฮาร์ดแวร์ที่ควบคุมการถ่ายเทความร้อนและการทนทานต่อสารเคมีจะเป็นตัวกำหนดขีดจำกัดของประสิทธิภาพการผลิต Semicorex SiC Pedestal เป็นส่วนประกอบหลักที่ออกแบบอย่างแม่นยำ ซึ่งออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับสภาพแวดล้อมที่เข้มงวดของ Microchannel Reactors (MCR) Combining the extreme chemical inertness ofสสส(เผาแบบไร้แรงดันซิลิคอนคาร์ไบด์) ด้วยเครื่องจักรขนาดเล็กขั้นสูง ฐานนี้ทำหน้าที่เป็นรากฐานสำหรับการสังเคราะห์สารเคมีที่ปลอดภัย ต่อเนื่อง และคายความร้อนสูง

บทบาทของฐาน SiC

ประสิทธิภาพของเครื่องปฏิกรณ์แบบช่องสัญญาณขนาดเล็กขึ้นอยู่กับความสามารถในการจัดการจลนศาสตร์ที่รวดเร็วภายในช่องสัญญาณขนาดต่ำกว่ามิลลิเมตร ฐาน SiC ทำหน้าที่เป็น "หัวใจ" เชิงโครงสร้างและการทำงานของปล่องเครื่องปฏิกรณ์:

การกระจายและการผสมของไหล: ช่องรับแสงขนาดเล็กที่ซับซ้อนซึ่งมองเห็นได้บนพื้นผิวทำหน้าที่เป็นเครือข่ายการกระจาย พอร์ตเหล่านี้ช่วยให้มั่นใจได้ว่าการฉีดสารตั้งต้นเข้าไปในช่องไมโครสม่ำเสมอ ช่วยให้เกิดการผสมในทันทีและป้องกันการไล่ระดับความเข้มข้นเฉพาะที่

การจัดการไล่ระดับความร้อน: ด้วยค่าการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยมของ SiC (โดยทั่วไปคือ 120W/(m·K)) ฐานนี้ทำหน้าที่เป็นแผงระบายความร้อนหรือเครื่องทำความร้อนล่วงหน้าประสิทธิภาพสูง โดยกำจัด "จุดร้อน" ในปฏิกิริยาพลังงานสูง เช่น ไนเตรตหรือเปอร์ออกซิเดชันได้อย่างมีประสิทธิภาพ ซึ่งมักเป็นอันตรายเกินไปสำหรับเครื่องปฏิกรณ์แบบแบตช์แบบดั้งเดิม

แพลตฟอร์มโครงสร้าง: ฐานให้ความเรียบและความแข็งแกร่งทางกลที่จำเป็นสำหรับการซีลสูญญากาศหรือการเชื่อมติดแบบแพร่กระจายกับแผ่นปฏิกิริยาด้านบน ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพการรั่วไหลเป็นศูนย์ภายใต้สภาวะการไหลที่มีแรงดันสูง

การใช้งาน

ฐาน SiC ของเราถูกใช้ในกระบวนการทางเคมี "โซน 0" ที่ท้าทายที่สุด:

ปฏิกิริยาคายความร้อนระหว่างของเหลวและของเหลว: ไนเตรชัน ซัลโฟเนชัน และฮาโลเจน

เคมีที่เป็นอันตราย: ไดอะโซไทเซชันและปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องกับโอโซนหรือเปอร์ออกไซด์

การสังเคราะห์วัสดุนาโน: การควบคุมเวลาและอุณหภูมิที่คงอยู่ได้อย่างแม่นยำ เพื่อให้ได้การกระจายขนาดอนุภาคที่สม่ำเสมอ

ตัวกลางทางเภสัชกรรม: รับประกันสภาพแวดล้อมการสังเคราะห์ที่ปราศจากโลหะสำหรับโครงสร้างโมเลกุลที่ละเอียดอ่อน