แผ่นเจียรเวเฟอร์ SiC

แผ่นเจียรเวเฟอร์ SiCเป็นส่วนสำคัญของการประมวลผลพื้นผิวเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ แผ่นเจียรแผ่นเวเฟอร์ SiC ใช้ประโยชน์จากสูตรที่แม่นยำของผงไมโครซิลิกอนคาร์ไบด์และกระบวนการเผาผนึกไร้ความดันที่ล้ำสมัย ให้การบดที่มีประสิทธิภาพและการเก็บผิวสำเร็จอย่างแม่นยำบนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ โดยพื้นฐานแล้วจะปกป้องความเสถียรและผลผลิตของขั้นตอนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในภายหลัง

ด้วยการตกแต่งพื้นผิวเวเฟอร์ที่แม่นยำและมีประสิทธิภาพเป็นฟังก์ชันหลัก แผ่นเจียรเวเฟอร์ SiC จึงมีแรงเสียดทานที่มั่นคงและควบคุมได้กับพื้นผิวเวเฟอร์ เมื่อรวมกับของเหลวสำหรับการเจียรหรือขัดเงาตามสัดส่วนที่กำหนด มันจะทำงานร่วมกันเพื่อกำจัดข้อบกพร่องที่พื้นผิวต่างๆ ที่เกิดจากกระบวนการเบื้องต้น เช่น การบิ่น รอยแตกขนาดเล็ก และครีบที่ขอบ นอกจากนี้ยังสามารถควบคุมความหนาของเวเฟอร์และความแปรผันของความหนารวม (TTV) ได้อย่างแม่นยำระดับไมครอน ดังนั้นจึงให้ซับสเตรตเวเฟอร์คุณภาพสูงพร้อมคุณภาพพื้นผิวที่ยอดเยี่ยมและพารามิเตอร์มิติที่เสถียรสำหรับกระบวนการสำคัญที่ตามมาในการผลิตชิป เช่น การพิมพ์หินด้วยแสงและการฝังไอออน

ประสิทธิภาพหลัก:

1.มีความแข็งมาก

2. ความแข็งแรงรับแรงดัดสูงและโมดูลัสยืดหยุ่น

3. ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่เหนือกว่า

4. การนำความร้อนที่โดดเด่น

5. ทนต่อการกัดกร่อนของสารเคมีได้ดีเยี่ยม

Semicorex ให้บริการที่กำหนดเองระดับไฮเอนด์แก่ลูกค้าอันทรงคุณค่าของเรา ด้วยการใช้เครื่องแมชชีนนิ่งเซ็นเตอร์ CNC ขั้นสูง Semicorex ประมวลผลวัสดุซิลิกอนคาร์ไบด์อย่างพิถีพิถันและแม่นยำเพื่อสร้างแผ่นเจียรแผ่นเวเฟอร์ SiC ที่มีขนาดเฉพาะที่ปรับให้เหมาะกับข้อกำหนดเฉพาะของลูกค้า เพื่อให้บริการลูกค้าด้วยผลิตภัณฑ์คุณภาพสูง แผ่นเจียรแผ่นเวเฟอร์ Semicorex SiC จะต้องผ่านการตรวจสอบคุณภาพอย่างเข้มงวด เช่น ความแม่นยำของมิติ ความแข็งแรง ความแข็ง และการทดสอบประสิทธิภาพอื่น ๆ ก่อนออกจากโรงงาน